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美國SVT激光分子束外延設(shè)備/LMBE/Laser MBE： Laser MBE具備PLD和傳統(tǒng)MBE的特點，對薄膜的生長速率進行精確（原子層級別）控制。設(shè)備特點是在MBE系統(tǒng)上增加激光燒蝕工藝，系統(tǒng)可以生長包括高熔點陶瓷以及多元素固體材料等各種材料。SVT有20年的MBE設(shè)備制造經(jīng)驗，我們擅于通過在線監(jiān)控薄膜生長來提高薄膜質(zhì)量。