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美國SVT激光分子束外延設備/LMBE/Laser MBE： Laser MBE具備PLD和傳統MBE的特點，對薄膜的生長速率進行精確（原子層級別）控制。設備特點是在MBE系統上增加激光燒蝕工藝，系統可以生長包括高熔點陶瓷以及多元素固體材料等各種材料。SVT有20年的MBE設備制造經驗，我們擅于通過在線監控薄膜生長來提高薄膜質量。