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RTEC化學機械拋光機：先進的CMP測試儀CP-6允許以*的方式研究和表征CMP工藝。 除了拋光晶圓和基板外，測試儀還配有在線表面輪廓儀。 這種組合提供了有關表面，摩擦，磨損等變化的原因和方式的信息。 測試儀還可以測量幾個內聯(lián)參數(shù)，如摩擦力，表面粗糙度，磨損量等，以便詳細了解過程。

從小規(guī)模的實驗室經(jīng)濟角度出發(fā)，Rpo-6型化學機械拋光機是用來研發(fā)CMP工藝流程、拋光晶片的替換選擇，它的高度靈活性可以對任何材料進行拋光。 原位摩擦和拋光墊磨損測量 可替換探頭達到6英寸晶片 標準的工藝流程&消耗品的運載